| 光束線站 | 研究內(nèi)容 | 實驗技術(shù) | 光斑參數(shù) | 線站狀態(tài) |
|---|---|---|---|---|
| 1W1A-漫散射實驗站 | 晶體材料薄膜、多層膜納米材料 |
X射線共面衍射／散射 X射線掠入射衍射／散射 X射線反射率／非鏡面散射 X射線掠入射小角散射 |
能量范圍：8.05 keV(不可調(diào)) 能量分辨率（△E/E）<4.4×10-4 @ 8.05 keV 樣品處光子通量（phs/s）>1×1011 @ 8.05 keV 樣品處光斑尺寸：1(H)×0.4(V) mm2 |
正常運行 |
| 1W1B-XAFS實驗站 | 材料科學(xué)、納米科學(xué)、生物醫(yī)學(xué)、環(huán)境科學(xué)、化學(xué)化工、能源催化、人文考古 |
透射XAFS 熒光XAFS |
能量范圍：4-23 keV 能量分辨率（△E/E）<1-3×10-4 @ 9 keV 樣品處光子通量（phs/s）>4×1011 @ 9 keV，2.5 GeV, 200 mA 樣品處光斑尺寸： 0.9(H)×0.3(V)mm2 |
正常運行 |
| 1W2A-小角散射實驗站 | 納米材料、介孔材料、生物大分子、高聚物等 |
透射小角X射線散射（SAXS）、 廣角X射線散射（WAXS）、 SAXS - WAXS同時測量； 掠入射SAXS、WAXS |
小角散射分辨率：200 nm 角分辨率：0.5 mrad 入射X射線波長1.54 ? 能量分辨率（△E/E）～1×10-3 樣品處光子通量（phs/s） ≥1×1011 樣品至探測器距離：0.5～5.0 m 分級可調(diào) 探測器上光斑尺寸：1.4 × 0.2 mm2 光束發(fā)散度 ≤0.6 mrad |
停止運行 |
| 1W2B-綜合實驗站 | 多方法實驗技術(shù)的發(fā)展、常規(guī)吸收譜學(xué)、基于高性能探測器的方法學(xué)研究 | XAFS、激光pump - X光probe時間分辨實驗、XAFS/XRD聯(lián)用實驗、SAXS/WAXS/XAFS聯(lián)用實驗 |
能量范圍：5-18 keV 能量分辨率(△E/E)優(yōu)于4×10-4 樣品處光子通量(phs/s)：1012 樣品處光斑尺寸： 1(H)×0.6(V) mm2 |
正常運行 |
| 3W1-高能實驗站 | 高能X射線設(shè)備和技術(shù)驗證，高能X射線應(yīng)用研究 |
成像（白光&單色光） 高能動態(tài)衍射PDF |
能量范圍：40-80 keV 白光 能量分辨率(△E/E)～0.16% @ 50 keV 樣品處光子通量(phs/s)：6.54×1010 @ 50 keV 2.56×1013 @ 白光 樣品處光斑尺寸：3×3 mm2 @ 50 keV 9.37×2.47 mm2 @ 白光 |
停止運行 |
| 1B3-光刻、LIGA實驗站 | X射線光學(xué)元件研制，如光柵，折射透鏡等 |
納米光刻 深度X射線光刻 |
樣品處為白光，光斑水平寬度55毫米，樣品臺在豎直方向掃描曝光。其中納米光刻光源能量在1-3 keV，X射線深度光刻光源能量在3-12 keV，光通量大于1015phs/s | 正常運行 |
| 4W1A-X射線成像站 | 晶體材料、生物醫(yī)學(xué)材料、復(fù)合材料、能源材料等 |
晶體形貌 微米相位襯度成像 納米全場成像 |
微米成像： 能量范圍：6 - 26 keV 樣品處光子通量(phs/s)～1012 @ 8 keV 空間分辨率為～10 μm、～5 μm、～1 μm時，光斑尺寸（H×V）分別為20 mm×10 mm，10 mm×5 mm，2 mm×1 mm 納米成像： 能量范圍：6-10 keV 樣品處光子通量(phs/s)～108 @ 8 keV 空間分辨率為30 nm、50 nm、100 nm時，光斑尺寸（H×V）分別為10 μm×10 μm，15 μm×15 μm，65 μm×65 μm |
正常運行 |
| 4W1B-X射線熒光微分析實驗站 | 物理、催化、生物醫(yī)學(xué)、環(huán)境科學(xué)、材料科學(xué)、人文考古、法學(xué)鑒定 |
XRF 微區(qū)XRF XES(發(fā)射譜) |
實驗?zāi)Ｊ剑悍酃饩劢鼓Ｊ?br>
能量范圍：5-18 keV 能量分辨率（△E/E）<5.5×10-4 樣品處光子通量(phs/s)：>1×1010 @ 15 keV 樣品處光斑尺寸：50(H)×50(V) μm2 XRF檢測限：1 ppm |
正常運行 |
| 4W2-高壓實驗站 | 高溫/低溫高壓下物性研究 |
高壓粉末XRD 高壓單晶XRD 高壓徑向XRD |
能量范圍：10-25 keV（單色光） 能量分辨率（△E/E）：7×10-4 @ 20 keV 樣品處光子通量(phs/s)：1.2×109 @ 20 keV 樣品處光斑尺寸：33×12 μm2 |
停止運行 |
| 4B8-真空紫外實驗站 | 熒光粉、閃爍體等發(fā)光材料 | 熒光光譜和吸收譜等真空紫外光譜 | 波長范圍：130-360 nm 樣品處光子通量(phs/s)：2×109 @ 180 nm 樣品處光斑尺寸：2(H)×1(V) mm2 |
停止運行 |
| 4B7A-中能實驗站 | 能源環(huán)境、材料、化學(xué)、生物科學(xué)等領(lǐng)域；探測器標(biāo)定、光學(xué)元件表征、X射線輻射計量標(biāo)準(zhǔn) | X射線吸收譜（XAS）； X射線光學(xué)計量標(biāo)準(zhǔn)測定、X射線探測器標(biāo)準(zhǔn)傳遞和標(biāo)定、光學(xué)元件的透射比、反射率或者衍射效率標(biāo)定 |
能量范圍：Si(111)：2100-5700 eV InSb(111)：1750-3400 eV 能量分辨率（△E/E）～7000 樣品處光子通量(phs/s)：～1x1011 @ S K-edge 樣品處光斑尺寸：5×3 mm2 |
正常運行 |
| 4B7B-軟X光實驗站 | 能源環(huán)境、材料、化學(xué)等科學(xué)領(lǐng)域；探測器標(biāo)定、光學(xué)元件表征、X射線計量標(biāo)準(zhǔn) | 近邊X射線吸收譜（XANES）；X射線光學(xué)計量標(biāo)準(zhǔn)測定、X射線探測器標(biāo)準(zhǔn)傳遞和標(biāo)定、光學(xué)元件的透射比及反射率標(biāo)定； |
能量范圍：50-1700 eV 能量分辨率（△E/E）～1000 樣品處光子通量(phs/s)>1×1010 @ Fe L-edge 樣品處光斑尺寸：1×0.5 mm2（焦點處）、大至10×5 mm2（離焦） |
正常運行 |
| 4B9A-衍射站 | 材料科學(xué)、納米科學(xué)、催化能源、生物科學(xué) |
X射線吸收精細結(jié)構(gòu)（XAFS） X射線衍射(XRD) X射線反射率（XRR） 衍射異常精細結(jié)構(gòu)（DAFS） |
能量范圍：5-13 keV 能量分辨率（△E/E）：3×10-4 樣品處光子通量(phs/s)：1×1010 @ 8 keV 樣品處光斑尺寸：2(H)×1(V) mm2 角分辨率：0.9角秒 |
停止運行 |
| 4B9B-光電子能譜實驗站 | 材料科學(xué)、催化能源、電子結(jié)構(gòu)研究 | 同步輻射光電子能譜（SRPES）、角分辨光電子能譜（ARPES）、軟X射線吸收譜（NEXAFS） |
波長范圍： 130-360 nm 樣品處光子通量(phs/s)：2×109 @ 180 nm 樣品處光斑尺寸：2(H)×1(V) mm2 |
停止運行 |