一、線站介紹

4B7A線站由彎鐵引出，與軟X射線光束線站4B7B共用一個前端區(qū)。該線站提供中能X射線（2.1~6keV），覆蓋了低Z元素（P、S、Cl、K、Ca、Ti等）的K吸收邊和部分元素的L吸收邊，能夠為能源環(huán)境、材料、化學(xué)、生物、地球物理等科學(xué)領(lǐng)域用戶提供部分熒光產(chǎn)額（PFY）模式和電子產(chǎn)額（TEY）模式的吸收譜測量服務(wù)。此外，線站也提供必要的基礎(chǔ)設(shè)施滿足用戶原位實驗需求。

二、樣品處光斑參數(shù)

能量范圍：Si(111)：2100eV-5700eV，InSb（111）：1750eV-3400eV

能量分辨率（E/ΔE）：~7000

光通量（photons/s）：~1x1011 @ S K edge

光斑尺寸（HxV）：5x3mm2

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圖 1 Ar氣K邊附近吸收譜

三、聯(lián)系方式

線站負(fù)責(zé)人：鄭雷，010-88235979，zhenglei@ihep.ac.cn

用戶聯(lián)系人：馬陳燕，010-88235979，macny@ihep.ac.cn

* 根據(jù)天氣情況，單色器更換為InSb晶體需要花費約3天時間，考慮到實驗完畢再更換回Si（111）晶體的約3天時間，一個切換周期花費約6天左右，所以是否能夠開展Si的吸收譜測量要看是否有足夠的用戶需求。