Neutron-induced single event effect in Xilinx 16nm MPSoC configuration RAM (CRAM) using white neutron and 2.72～81.8meV neutron in CSNS-BL20
- 聯(lián)系作者：
- 刊物名稱：JOURNAL OF NUCLEAR SCIENCE AND TECHNOLOGY
- 所屬學科：
- 作者：Hu, ZL; Yang, WT; Zhou, B et al.
- 發(fā)表年度：2023
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