Anomalous Nernst effect and topological Nernst effect in the ferrimagnetic nodal-line semiconductor Mn3Si2Te6
- 聯(lián)系作者：
- 刊物名稱：PHYSICAL REVIEW B
- 所屬學(xué)科：
- 作者：Ran, C; Mi, XR; Shen, JY et al.
- 發(fā)表年度：2023
- 卷：
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