高、低溫環(huán)境中材料二次電子特性參數(shù)的測量裝置和方法
- 英文名稱：Device and method for measuring characteristic parameters of secondary electrons of materials in high-temperature and low-temperature environments
- 專利號：ZL 201811197282.3
- 專利類別：發(fā)明授權(quán)
- 專利證書號：
- 申請?zhí)枺?/span>CN201811197282.3
- 發(fā)明人：王鵬程; 劉瑜冬; 劉盛畫; 孫曉陽
- 其它發(fā)明人：
- 申請日期：2018-10-15
- 授權(quán)日期：2023-10-27
