一種高二次電子發(fā)射系數(shù)薄膜及其制備方法
- 英文名稱：The invention relates to a high secondary electron emission coefficient film and a preparation method thereof
- 專利號：ZL 202011422992.9
- 專利類別：發(fā)明授權
- 專利證書號：
- 申請?zhí)枺?/span>CN202011422992.9
- 發(fā)明人：王玉漫; 劉術林; 閆保軍; 溫凱樂; 張斌婷; 谷建雨; 姚文靜
- 其它發(fā)明人：
- 申請日期：2020-12-08
- 授權日期：2022-03-08
