一種利用離子束刻蝕技術(shù)拋光微結(jié)構(gòu)側(cè)壁的方法
- 英文名稱：A technology using ion beam etching method for polishing the micro-structure side wall
- 專利號(hào)：ZL 201310439401.2
- 專利類別：發(fā)明授權(quán)
- 專利證書(shū)號(hào)：
- 申請(qǐng)?zhí)枺?/span>CN201310439401.2
- 發(fā)明人：張?zhí)鞗_; 伊福廷; 王波; 劉靜; 張新帥
- 其它發(fā)明人：
- 申請(qǐng)日期：2013-09-24
- 授權(quán)日期：2015-12-02
