高能所“BEPCII正電子源”科研成果獲北京市科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)
2月1日上午，北京市委、市政府隆重召開北京市科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)大會(huì)暨2010年北京市科技工作會(huì)議。中共中央政治局委員、中共北京市委書記劉淇，北京市委副書記、市長郭金龍等市委、市政府領(lǐng)導(dǎo)，科技部副部長曹健林，中科院黨組成員、北京分院黨組書記何巖等領(lǐng)導(dǎo)出席大會(huì)并為獲獎(jiǎng)代表頒獎(jiǎng)。
2008年北京市科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)共授予149項(xiàng)科研成果，其中：北京市科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)15項(xiàng)；北京市科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)30項(xiàng)；北京市科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)三等獎(jiǎng)104項(xiàng)。
高能所“BEPCII正電子源”獲一等獎(jiǎng)；“BEPCII對撞區(qū)雙孔徑四極磁鐵的研制”和“重要納米顆粒的生物安全性研究”獲二等獎(jiǎng)；“高精度小型正電子發(fā)射斷層掃描儀”、“確定暗能量狀態(tài)方程和精靈（Quintom）模型”和“北京譜儀-II ψ(3770)和D物理若干前沿及重大疑難問題的研究”獲三等獎(jiǎng)。
會(huì)議現(xiàn)場（圖片來源：北京分院網(wǎng)站）
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