2010年高能新聞
您當前的位置:首頁 > 新聞動態(tài) > 高能新聞 > 要聞 > 2010年高能新聞
專用集成電路設計國際評審會在高能所召開
文章來源:實驗物理中心  2010-08-17
】 【】 【

7月28日至31日,專用集成電路(ASIC)國際評審會在中科院高能所召開。

會議由高能所ASIC研究項目負責人王錚研究員主持,來自法國國家科研中心貝爾居里安多學科研究所(IPHC)、美國芝加哥大學、美國南方衛(wèi)理公會大學(SMU)等知名研究機構的集成電路設計專家以及國內資深電子學專家出席了此次評審會。王貽芳常務副所長出席了會議并參與了相關的討論。

ASIC具有性能好、功耗低、體積小等諸多優(yōu)點,是高密度探測器的必須配套設備,在功耗、空間等有限制的場合也有著極為重要的應用價值。為期四天的報告和討論,對高能所過去近四年來在ASIC研究方面的成果進行了全面的展示,對自主設計完成的多通道Wilkinson型ADC、逐次比較型ADC、GEM探測器前端讀出ASIC及用于PET的前端讀出ASIC等芯片的設計進行了全面、細致的評審。與會專家對現階段高能所ASIC研究取得的進展予以了充分的肯定,同時明確指出了設計中存在的不足之處,并對今后高能所ASIC研究的方向、隊伍建設等方面提出了寶貴的建議。

本次評審會堅定了我們ASIC研究的信心,也更加明確了今后的工作目標,達到了預期的效果。


附件下載:

地址:北京市918信箱 郵編:100049 電話:86-10-88235008 Email:ihep@ihep.ac.cn
中國科學院高能物理研究所 備案序號:京ICP備05002790號-1 文保網安備案號: 110402500050