SANS散射腔詳細設計和制造工藝評審會召開
12月9日，中國散裂中子源小角散射譜儀（SANS）散射腔詳細設計和制造工藝評審會在合肥聚能電物理高技術開發(fā)有限公司召開。
評審成員聽取了SANS散射腔詳細設計和制造工藝評審報告，并就內(nèi)部導軌的精度、電機真空散熱、現(xiàn)場安裝等方面提出意見和建議。評委認為，SANS散射腔設計方案經(jīng)過詳細的分析計算，提出的改進建議滿足項目要求；工藝方案可行，同意進行加工制造。下一步項目組將根據(jù)評審專家的意見進一步修改圖紙，開始加工制造。
SANS散射腔是小角散射譜儀核心部件。內(nèi)部為真空環(huán)境，真空度10Pa，主要用于放置二維位置靈敏He3管探測器陣列，內(nèi)部設計運動機構、筒體屏蔽內(nèi)襯和散射中子吸收阻擋屏，為探測器提供使用環(huán)境并盡可能壓制本底。其整體包括：散射腔腔體、腔內(nèi)壁的吸收層、腔內(nèi)結構（探測器支撐及驅(qū)動、阻擋屏及驅(qū)動、束流阻擋器及驅(qū)動等部件）和腔體外圍的附屬零部件及導軌組件等。其中探測器陣列位于國際先進水平；新型硼鋁復合材料是我國創(chuàng)新產(chǎn)品，世界上首次在散裂中子源上使用。
SANS散射腔腔體內(nèi)徑φ2200mm，中間筒體（直線）段長4115mm（不含封頭），整個散射腔包括封頭及錐筒全長5507mm，總重約9噸。內(nèi)部組件均為執(zhí)行部件，定位精度±0.1mm。整個腔體導軌運行，工作位重復定位精度±0.2mm。
評審會現(xiàn)場
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