3月15日，中科院高能所組織專家對(duì)166.6MHz超導(dǎo)高頻腔低溫垂直測(cè)試進(jìn)行了現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試，該超導(dǎo)腔是高能同步輻射光源驗(yàn)證裝置（HEPS-TF）中的核心研制內(nèi)容之一。測(cè)試專家組由來(lái)自于清華大學(xué)、北京大學(xué)和高能所的專家組成，專家組聽取了課題組的介紹，對(duì)166.6MHz超導(dǎo)高頻腔進(jìn)行了現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試。
測(cè)試結(jié)果表明，分別在4.2K和2K 溫度下，166.6MHz beta=1的超導(dǎo)高頻腔垂直測(cè)試已經(jīng)達(dá)到了設(shè)計(jì)目標(biāo)，并具有較高的Q0值。在4.2K溫度下腔壓達(dá)到1.5MV，Q0值為2.4x109（設(shè)計(jì)目標(biāo)：1.5MV, Q0>5x108@4.2K）。4.2K下的低場(chǎng)表面電阻為10 nΩ，表面殘余電阻僅為2.3nΩ。
166.6MHz超導(dǎo)腔是國(guó)際上首個(gè)低頻（<200MHz）強(qiáng)流（流強(qiáng)>200mA）高功率（>150kW）beta=1的超導(dǎo)腔，4K和2K的測(cè)試結(jié)果表明指標(biāo)均達(dá)到了世界領(lǐng)先水平，是HEPS-TF項(xiàng)目的重要里程碑。該腔由北京高能銳新科技有限公司制造，加速器中心高頻組負(fù)責(zé)完成超導(dǎo)腔的設(shè)計(jì)和后處理工作。
166.6MHz beta=1的超導(dǎo)高頻腔垂直測(cè)試達(dá)到設(shè)計(jì)目標(biāo)
166.6MHz超導(dǎo)高頻腔
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