5月3日，中科院高能所加速器中心利用超導(dǎo)腔測(cè)試系統(tǒng)完成了環(huán)形正負(fù)電子對(duì)撞機(jī)（CEPC）650MHz單cell超導(dǎo)腔的垂直測(cè)試。測(cè)試結(jié)果表明：在2K溫度下，加速梯度Eacc達(dá)到19.4MV/m時(shí)，Q0為4.0x1010（對(duì)應(yīng)的表面電阻僅為7.1nΩ），超過(guò)了所創(chuàng)新項(xiàng)目的預(yù)期目標(biāo)（Q0=2.0x1010@Eacc=15.5 MV/m），接近CEPC的垂測(cè)指標(biāo)（Q0=4.0x1010@Eacc=22.0 MV/m）。這個(gè)結(jié)果是國(guó)內(nèi)該頻段超導(dǎo)腔里最好，達(dá)到了國(guó)際先進(jìn)水平。
目前，CEPC的主環(huán)計(jì)劃采用336個(gè)650MHz2-cell超導(dǎo)腔，為了降低低溫系統(tǒng)的造價(jià)和運(yùn)行費(fèi)用，必須盡可能降低超導(dǎo)腔的功耗，因此，提高超導(dǎo)腔的Q0（與功耗成反比）非常重要。下一步，高能所加速器中心相關(guān)項(xiàng)目組將通過(guò)摻氮（N-doping）、電拋光（EP）等新技術(shù)，進(jìn)一步提高該超導(dǎo)腔的性能，同時(shí)從單cell推廣到2-cell，有望實(shí)現(xiàn)CEPC的設(shè)計(jì)指標(biāo)。
本項(xiàng)研究受高能所創(chuàng)新項(xiàng)目“CEPC加速器物理及關(guān)鍵技術(shù)研究”支持，團(tuán)隊(duì)（高Q值超導(dǎo)腔研究）成員來(lái)自加速器中心。
CEPC 650MHz 單cell超導(dǎo)腔垂直測(cè)試結(jié)果
CEPC 650MHz 單cell超導(dǎo)腔
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