CEPC超導腔摻氮研究取得初步結(jié)果
10月24日凌晨，中國科學院高能物理研究所加速器中心完成了環(huán)形正負電子對撞機（CEPC）650MHz單cell超導腔摻氮（N-doping）后的垂直測試(2.0K)。
與摻氮前相比，這只超導腔（編號：650S1）低場下（5~10MV/m）的無載品質(zhì)因數(shù)Q0值明顯提高，加速梯度Eacc在10MV/m時，Q0為7.0x1010，這是國內(nèi)首次觀察到摻氮對該頻段超導腔Q0值的提升現(xiàn)象。超導腔摻氮是加速器領域最近幾年發(fā)展起來的新技術(shù)，可以降低超導腔的表面電阻、提高Q0值，已被美國的LCLS-II加速器所采用。
從2015年CEPC所創(chuàng)新經(jīng)費啟動超導腔的摻氮研究開始，經(jīng)過三年努力，這項研究工作終于有了實質(zhì)性進展。下一步，將通過改進摻氮工藝、電拋光等方法，逐步提高摻氮超導腔在高場下（>10MV/m）的Q0值，以降低超導腔的功耗，從而節(jié)省CEPC低溫系統(tǒng)的造價和運行費用。
CEPC摻氮超導腔垂直測試結(jié)果（2.0K）
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