高Q值超導腔研究取得新進展
在北京先進光源技術(shù)研發(fā)與測試平臺建設中，中科院高能所不斷開展高性能（高Q值、高梯度）超導腔的研究，通過優(yōu)化超導腔的制造環(huán)節(jié)和步驟、表面處理和測試技術(shù)，近日，650MHz和1.3GHz超導腔（細晶）的研制取得了優(yōu)異的結(jié)果。
1.3GHz 1-cell超導腔完成了2.0K~1.6K溫區(qū)的測試：加速梯度Eacc達到22.0MV/m時，Q0分別為1.4x1010（2.0K）和4.2x1010（1.6K）。在高能所以往研制的基礎(chǔ)上又取得了新的進展。
同時，在2.0K溫度下，650 MHz 1-cell超導腔的加速梯度Eacc最高達到36.0MV/m，對應的峰值磁場Bpeak為171mT；加速梯度Eacc達到26.0MV/m時，Q0為5.1x1010，達到了環(huán)形正負電子對撞機（CEPC）650MHz超導腔的垂測指標要求（Q0=4.0x1010@Eacc=22.0 MV/m）, 創(chuàng)歷史新高，也與世界領(lǐng)先水平相當。
下一步，課題組和加工廠家將總結(jié)和進一步優(yōu)化研制步驟并固化流程，同時深入研究出現(xiàn)的問題，提高高Q超導腔量產(chǎn)的穩(wěn)定性以最終達到工程的大批量、高性能需求。
1.3GHz 1-cell超導腔測試結(jié)果
650MHz 1-cell超導腔測試結(jié)果
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