近日，中科院高能所同步輻射硅像素探測(cè)器研發(fā)團(tuán)隊(duì)在新型像素陣列探測(cè)器研究方面取得重要進(jìn)展，團(tuán)隊(duì)成功研制出基于硅通孔技術(shù)（Through Silicon Via，TSV）的探測(cè)器工程樣機(jī)。TSV技術(shù)的成功應(yīng)用大幅縮小了模塊間的縫隙寬度，同時(shí)還改善了探測(cè)器在低能區(qū)的響應(yīng)。這一進(jìn)展標(biāo)志著高能所在先進(jìn)X射線像素探測(cè)器的設(shè)計(jì)、工藝研究及系統(tǒng)集成上達(dá)到了國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平，所有關(guān)鍵技術(shù)及工藝方法全部實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，樣機(jī)性能指標(biāo)達(dá)到國(guó)際主流同類探測(cè)器產(chǎn)品水平。
TSV技術(shù)是一項(xiàng)新興的高密度封裝技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)芯片間的垂直電氣互連，包括深硅刻蝕微孔、絕緣層/阻擋層/種子層的沉積、深孔填充、化學(xué)機(jī)械拋光、減薄、PAD制備以及再分布線制備等多項(xiàng)工藝技術(shù)。研發(fā)人員經(jīng)過一年多的工藝摸索和實(shí)驗(yàn)改進(jìn)，成功將模塊間的縫隙寬度由上一代工程樣機(jī)的9毫米減小為2.5毫米。該工程樣機(jī)由18個(gè)探測(cè)模塊組成，按照3×6方式排列，單模塊是208×288的像素陣列，像素尺寸為150μm×150μm。研發(fā)團(tuán)隊(duì)在本輪同步輻射專用光期間，利用Cu熒光（約8KeV）產(chǎn)生的較大均勻光場(chǎng)對(duì)該工程樣機(jī)進(jìn)行了各項(xiàng)性能的測(cè)試和標(biāo)定，完成了樣機(jī)的能量響應(yīng)、像素壞點(diǎn)率測(cè)試及平場(chǎng)校正，并獲得了成像實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)結(jié)果。
探測(cè)器研發(fā)團(tuán)隊(duì)由高能所實(shí)驗(yàn)物理中心和多學(xué)科中心人員組成，他們?cè)诠鑲鞲衅餍酒邪l(fā)、探測(cè)器模塊研制、專用集成電路研究、讀出電子學(xué)和數(shù)據(jù)獲取系統(tǒng)設(shè)計(jì)、機(jī)械結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)等方面通力合作。該樣機(jī)的成功研制，更加堅(jiān)定了研究團(tuán)隊(duì)繼續(xù)攻堅(jiān)克難的信心和決心。未來，高能所將繼續(xù)深入推進(jìn)國(guó)產(chǎn)硅像素探測(cè)器的研究工作，全面掌握此類探測(cè)器的核心關(guān)鍵技術(shù)，提升光源的核心競(jìng)爭(zhēng)力，為將來在高能同步輻射光源上先進(jìn)探測(cè)技術(shù)的應(yīng)用打下堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。同時(shí)，該項(xiàng)目相關(guān)技術(shù)還有望應(yīng)用到其他領(lǐng)域，包括CT、質(zhì)子治癌、醫(yī)療成像、空間成像探測(cè)器等。
本項(xiàng)目得到了高能同步輻射光源、先進(jìn)光源技術(shù)研發(fā)與測(cè)試平臺(tái)、國(guó)家自然科學(xué)基金委、核探測(cè)與核電子學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的支持。
X射線像探測(cè)器外觀
探測(cè)器由內(nèi)部18個(gè)探測(cè)單元模塊拼接組成
在同步輻射束線上工作的探測(cè)器樣機(jī)及制冷機(jī)
探測(cè)器在本輪同步光測(cè)試中得到的小魚X射線透射圖
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