11月14日和15日，中國科學(xué)院高能物理研究所在東莞分部對中國散裂中子源（CSNS）上反角白光中子實驗裝置（Back-n）分別組織性能測試會和成果鑒定會， 9位國內(nèi)專家組成性能測試專家組, 清華大學(xué)王學(xué)武教授擔(dān)任組長，中國原子能科學(xué)研究院張煥喬院士擔(dān)任由包括6位院士在內(nèi)的成果鑒定組組長。
Back-n是高能所聯(lián)合4家國內(nèi)單位共同建設(shè)的，是國內(nèi)首個高強(qiáng)度和寬連續(xù)能譜的高性能白光中子源，在多方支持下，已于2018年3月與CSNS主體工程同步建成，并投入開放運(yùn)行。
CSNS工程總指揮陳和生院士、高能所副所長陳延偉研究員對參加測試會和鑒定會的專家表示歡迎和感謝。性能測試專家組聽取了唐靖宇研究員代表項目組作的報告，對裝置的主要性能進(jìn)行了現(xiàn)場測試或?qū)椖拷M自測試結(jié)果進(jìn)行了認(rèn)定。成果鑒定專家組聽取了項目組的研制報告和成果匯報，聽取和核對了測試專家組的報告，認(rèn)為Back-n綜合性能處于國際前列，部分指標(biāo)國際領(lǐng)先，其中，利用質(zhì)子束打靶反角方向的中子束流建設(shè)了白光中子束線為國際上首創(chuàng)，距靶等距離的中子注量率為國際上白光中子源的最高水平。
該裝置開放運(yùn)行以來，運(yùn)行高效，在中子核數(shù)據(jù)測量、中子探測器標(biāo)定、中子輻射效應(yīng)等研究和應(yīng)用方面高效地開展了實驗，為我國的國家相關(guān)領(lǐng)域的戰(zhàn)略需求和基礎(chǔ)前沿研究、以及芯片事業(yè)發(fā)展提供了急需的研究平臺。
性能測試專家組與項目成員合影
成果鑒定專家組與項目成員合影
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