一、采購(gòu)人：中國(guó)科學(xué)院高能物理研究所
二、采購(gòu)項(xiàng)目名稱：CSNS磁控濺射設(shè)備
三、招標(biāo)編號(hào)：C-T-10-08-16-34
四、資金來(lái)源及采購(gòu)預(yù)算：財(cái)政性資金，已落實(shí)，采購(gòu)預(yù)算85萬(wàn)元
五、項(xiàng)目工期：6個(gè)月
六、招標(biāo)產(chǎn)品內(nèi)容：
（一）項(xiàng)目名稱：CSNS磁控濺射設(shè)備
（二）設(shè)備名稱及數(shù)量：
1) CSNS磁控濺射設(shè)備，1套；
（三）項(xiàng)目簡(jiǎn)介：
本項(xiàng)目是對(duì)中國(guó)散裂中子源多功能反射譜儀（以下簡(jiǎn)稱“RM”）系統(tǒng)中的磁控濺射設(shè)備進(jìn)行的國(guó)內(nèi)公開(kāi)招標(biāo)。
CSNS磁控濺射設(shè)備主要是為了制備各種納米和微米金屬及氧化物單層或多層膜，材料包括金屬、半導(dǎo)體、或絕緣體薄膜，磁性或非磁性材料等。該設(shè)備可以用來(lái)實(shí)現(xiàn)在真空環(huán)境下對(duì)多樣性的薄膜樣品進(jìn)行制備或再處理以及進(jìn)行原位多場(chǎng)測(cè)量，滿足用戶的需求。
該設(shè)備由八靶鍍膜室、三靶鍍膜室、進(jìn)樣室、真空抽氣和測(cè)量系統(tǒng)、磁控濺射靶組件、樣品臺(tái)組件、工作氣路、電源和電控制系統(tǒng)等組成。
本項(xiàng)目招標(biāo)人負(fù)責(zé)提供磁控濺射設(shè)備的相關(guān)技術(shù)要求；投標(biāo)人負(fù)責(zé)該設(shè)備的方案和技術(shù)設(shè)計(jì)，工藝設(shè)計(jì)、控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和采購(gòu)、標(biāo)準(zhǔn)零部件的設(shè)計(jì)和采購(gòu)以及機(jī)械加工、預(yù)安裝、測(cè)試、包裝、運(yùn)輸和在甲方現(xiàn)場(chǎng)安裝，提供本項(xiàng)目所需的零部件和原材料（包括機(jī)械系統(tǒng)和電控制系統(tǒng)等），提供進(jìn)行預(yù)安裝和測(cè)試時(shí)所需的設(shè)備和場(chǎng)地以及在甲方現(xiàn)場(chǎng)安裝所需的全套工具和工裝，并對(duì)甲方的人員進(jìn)行免費(fèi)的技術(shù)培訓(xùn)等。
CSNS磁控濺射設(shè)備的進(jìn)樣室為側(cè)開(kāi)活門結(jié)構(gòu)，真空狀態(tài)下，可以通過(guò)樣品傳遞機(jī)構(gòu)將樣品從進(jìn)樣室傳遞到兩個(gè)鍍膜室。
兩個(gè)鍍膜室材料為優(yōu)質(zhì)316不銹鋼，電動(dòng)上掀蓋結(jié)構(gòu)。每一個(gè)鍍膜室包括樣品臺(tái)組件，磁控濺射靶組件，樣品環(huán)境組件，真空抽氣及真空測(cè)量系統(tǒng)，工作氣路，電源和電控制系統(tǒng)。
主要技術(shù)指標(biāo)見(jiàn)表1：
表1 CSNS磁控濺射設(shè)備主要技術(shù)指標(biāo)和要求
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序號(hào) |
項(xiàng)目 |
技術(shù)指標(biāo) |
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1 |
真空抽氣系及測(cè)量系統(tǒng) |
鍍膜真空室極限真空度≤4x10-6Pa；系統(tǒng)真空檢漏漏率：≤5.0x10-10Pa.m3/S；停泵關(guān)機(jī)24小時(shí)后真空度≤1 Pa。 進(jìn)樣室極限真空度≤5x10-5Pa； 系統(tǒng)真空檢漏漏率≤5.0x10-10Pa.m3/S；停泵關(guān)機(jī)24小時(shí)后真空度≤1 Pa。 分子泵選擇北科儀或相當(dāng)品牌；機(jī)械泵選擇日本真空或相當(dāng)品牌。 |
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2 |
鍍膜室基本結(jié)構(gòu) |
圓筒型真空室，優(yōu)質(zhì)316不銹鋼材料制造，電動(dòng)上掀蓋結(jié)構(gòu)，采用氬弧焊接，表面進(jìn)行化學(xué)拋光處理，接口采用金屬墊圈密封或氟橡膠圈密封；可烘烤溫度最高300C° 八靶鍍膜室尺寸不小于直徑φ650mmx400（H）；三靶鍍膜室尺寸不小于直徑φ450mmx450mm（H）。 |
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3 |
八靶鍍膜室樣品臺(tái)組件 |
（1）基片可連續(xù)回轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速5～10轉(zhuǎn)/分；可做高定位精度蠕動(dòng)，移動(dòng)精度0.1mm。基片尺寸為48mmx48mm。樣品臺(tái)上放置的基片數(shù)量最大化； （2）基片可加0~-200伏負(fù)偏壓，基片加熱最高溫度600°C±1°C，由熱電偶閉環(huán)反饋控制，程序控溫； （3）基片可做低溫沉積； （4）設(shè)置手動(dòng)控制薄膜厚度測(cè)量組件； （5）靶材和基片的距離手動(dòng)可調(diào)。 （6)動(dòng)密封選擇杭州大和或相當(dāng)質(zhì)量產(chǎn)品。 |
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4 |
八靶鍍膜室濺射靶組件 |
磁控濺射靶采用水冷系統(tǒng)進(jìn)行冷卻；設(shè)置靶擋板機(jī)構(gòu)，防止靶材交叉污染，電動(dòng)控制，并有具體設(shè)計(jì)；可以兼容（甲方已有）射頻和直流電源，并進(jìn)行一對(duì)多切換。 |
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5 |
三靶鍍膜室樣品臺(tái)組件 |
（1） 基片尺寸48mm×48mm； （2） 基片可自轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速5～10轉(zhuǎn)/分； （3） 基片可加熱最高溫度800°C±1°C，由熱電偶閉環(huán)反饋控制，程序控溫； （4） 設(shè)置手動(dòng)控制薄膜厚度測(cè)量組件； （5） 可加0~-200伏的負(fù)偏壓。 |
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6 |
三靶鍍膜室濺射靶組件 |
磁控濺射靶采用水冷系統(tǒng)進(jìn)行冷卻；具有三靶共濺射功能?？梢约嫒荩追揭延械模┥漕l和直流電源,并進(jìn)行一對(duì)多切換；靶材和基片的距離手動(dòng)可調(diào)。設(shè)置靶擋板機(jī)構(gòu)，防止靶材交叉污染。 |
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7 |
鍍膜室工作氣路 |
八靶鍍膜室三個(gè)工作氣路，三靶鍍膜室另有獨(dú)立的三路工作氣路。均通過(guò)質(zhì)量流量控制器，角閥、進(jìn)氣截止閥、進(jìn)口1/4英寸管路和接頭等進(jìn)行控制。 質(zhì)量流量控制器選擇MKS或相當(dāng)品牌。 |
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8 |
進(jìn)樣室 |
樣品庫(kù)1個(gè)，樣品庫(kù)中可以放置樣品的數(shù)量8個(gè)； 設(shè)置有樣品傳遞機(jī)構(gòu)。可以將樣品傳遞到八靶鍍膜室和三靶鍍膜室； 傳遞機(jī)構(gòu)在垂直和角度可調(diào)適當(dāng)調(diào)整。使樣品準(zhǔn)確的傳遞到鍍膜室的樣品臺(tái)上。 進(jìn)樣室尺寸不小于直徑φ350mmX450mm（L） |
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9 |
水冷系統(tǒng) |
冷卻循環(huán)水機(jī)一臺(tái)，制冷量功率不小于5kw。 |
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10 |
電源和電控制系統(tǒng)組件 |
（1）計(jì)算機(jī)設(shè)備控制系統(tǒng)1套； （2）電源機(jī)柜一組，總控制電源為分子泵、機(jī)械泵、電磁閥、升降電機(jī)、真空計(jì)等提供電源，有斷電保護(hù)功能；水流報(bào)警系統(tǒng)，要求對(duì)分子泵、磁控靶有斷水報(bào)警切斷相應(yīng)電源功能。其他設(shè)備由相應(yīng)電源單獨(dú)供電； （3）進(jìn)樣室、八靶鍍膜室和三靶鍍膜室具有獨(dú)立的高低真空測(cè)量和控制以及電控制或樣品預(yù)處理系統(tǒng)若干套。 |
七、投標(biāo)資格：
本項(xiàng)目為國(guó)內(nèi)公開(kāi)招標(biāo)，要求投標(biāo)人資格條件如下：
（1）政府采購(gòu)法第二十二條規(guī)定的資格條件。
（2）投標(biāo)人應(yīng)為在中華人民共和國(guó)境內(nèi)合法注冊(cè)的法人或其他組織，須具有必要的生產(chǎn)設(shè)備和生產(chǎn)場(chǎng)地，有自主完成本項(xiàng)目加工、安裝和測(cè)試的能力。
（3）近五年曾經(jīng)承擔(dān)過(guò)與本招標(biāo)項(xiàng)目相類似的項(xiàng)目。
（4）在采購(gòu)人處登記并購(gòu)買標(biāo)書
（5）本項(xiàng)目不接受聯(lián)合體投標(biāo)。
八、招標(biāo)文件發(fā)售時(shí)間：2016年10月26日～2016年11月3日（公休日除外）
每天9:00～11:00、14:00～16:30（北京時(shí)間）
九、招標(biāo)文件發(fā)售地點(diǎn)：廣東省東莞市大朗鎮(zhèn)中子源路1號(hào)散裂中子源區(qū)A2-201室（裝置辦）
十、招標(biāo)文件購(gòu)買方式：
招標(biāo)文件每套500元人民幣（招標(biāo)文件僅提供電子版，購(gòu)買時(shí)請(qǐng)攜帶U盤），招標(biāo)文件售出不退。
購(gòu)買方式可上門購(gòu)買；也可電匯標(biāo)書費(fèi)以郵件方式聯(lián)系購(gòu)買，采用郵件方式購(gòu)買的，請(qǐng)將銀行出具的標(biāo)書匯款回單、投標(biāo)人名稱、住所、聯(lián)系人及電話、E-mail地址等信息用E-mail形式發(fā)送至jianglj@ihep.ac.cn。我們收到郵件后會(huì)立即將招標(biāo)文件電子版用E-mail發(fā)給您。
投標(biāo)時(shí)將收取1萬(wàn)元的投標(biāo)保證金。
注意：投標(biāo)單位購(gòu)買招標(biāo)文件時(shí)請(qǐng)攜帶單位介紹信(蓋公章)備查。請(qǐng)?jiān)诮榻B信上注明單位全稱及其地址、郵編；聯(lián)系人及其聯(lián)系方法（包括手機(jī)、電話、傳真、E-mail地址等）或提供購(gòu)買人個(gè)人名片以便聯(lián)系。
十一、投標(biāo)截止時(shí)間：北京時(shí)間2016年 11月14日下午2:00
十二、投標(biāo)文件遞交地點(diǎn)：東莞市大朗鎮(zhèn)中子源路1號(hào)散裂中子源區(qū)A2-201室（裝置辦）
十三、開(kāi)標(biāo)時(shí)間：北京時(shí)間2016年11月14日下午2:00
十四、本項(xiàng)目聯(lián)系方式：聯(lián) 系 人：江麗君
Email：jianglj@ihep.ac.cn
電 話：0769-89156300
全 稱：中國(guó)科學(xué)院高能物理研究所
開(kāi)戶銀行：中國(guó)工商銀行北京永定路支行
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