一、采購人：中國科學(xué)院高能物理研究所
二、采購項目名稱：CSNS磁控濺射設(shè)備
三、招標編號：C-T-10-08-16-34
四、資金來源及采購預(yù)算：財政性資金，已落實，采購預(yù)算85萬元
五、項目工期：6個月
六、招標產(chǎn)品內(nèi)容：
（一）項目名稱：CSNS磁控濺射設(shè)備
（二）設(shè)備名稱及數(shù)量：
1) CSNS磁控濺射設(shè)備，1套；
（三）項目簡介：
本項目是對中國散裂中子源多功能反射譜儀（以下簡稱“RM”）系統(tǒng)中的磁控濺射設(shè)備進行的國內(nèi)公開招標。
CSNS磁控濺射設(shè)備主要是為了制備各種納米和微米金屬及氧化物單層或多層膜，材料包括金屬、半導(dǎo)體、或絕緣體薄膜，磁性或非磁性材料等。該設(shè)備可以用來實現(xiàn)在真空環(huán)境下對多樣性的薄膜樣品進行制備或再處理以及進行原位多場測量，滿足用戶的需求。
該設(shè)備由八靶鍍膜室、三靶鍍膜室、進樣室、真空抽氣和測量系統(tǒng)、磁控濺射靶組件、樣品臺組件、工作氣路、電源和電控制系統(tǒng)等組成。
本項目招標人負責(zé)提供磁控濺射設(shè)備的相關(guān)技術(shù)要求；投標人負責(zé)該設(shè)備的方案和技術(shù)設(shè)計，工藝設(shè)計、控制系統(tǒng)的設(shè)計和采購、標準零部件的設(shè)計和采購以及機械加工、預(yù)安裝、測試、包裝、運輸和在甲方現(xiàn)場安裝，提供本項目所需的零部件和原材料（包括機械系統(tǒng)和電控制系統(tǒng)等），提供進行預(yù)安裝和測試時所需的設(shè)備和場地以及在甲方現(xiàn)場安裝所需的全套工具和工裝，并對甲方的人員進行免費的技術(shù)培訓(xùn)等。
CSNS磁控濺射設(shè)備的進樣室為側(cè)開活門結(jié)構(gòu)，真空狀態(tài)下，可以通過樣品傳遞機構(gòu)將樣品從進樣室傳遞到兩個鍍膜室。
兩個鍍膜室材料為優(yōu)質(zhì)316不銹鋼，電動上掀蓋結(jié)構(gòu)。每一個鍍膜室包括樣品臺組件，磁控濺射靶組件，樣品環(huán)境組件，真空抽氣及真空測量系統(tǒng)，工作氣路，電源和電控制系統(tǒng)。
主要技術(shù)指標見表1：
表1 CSNS磁控濺射設(shè)備主要技術(shù)指標和要求
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序號 |
項目 |
技術(shù)指標 |
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1 |
真空抽氣系及測量系統(tǒng) |
鍍膜真空室極限真空度≤4x10-6Pa；系統(tǒng)真空檢漏漏率：≤5.0x10-10Pa.m3/S；停泵關(guān)機24小時后真空度≤1 Pa。 進樣室極限真空度≤5x10-5Pa； 系統(tǒng)真空檢漏漏率≤5.0x10-10Pa.m3/S；停泵關(guān)機24小時后真空度≤1 Pa。 分子泵選擇北科儀或相當品牌；機械泵選擇日本真空或相當品牌。 |
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2 |
鍍膜室基本結(jié)構(gòu) |
圓筒型真空室，優(yōu)質(zhì)316不銹鋼材料制造，電動上掀蓋結(jié)構(gòu)，采用氬弧焊接，表面進行化學(xué)拋光處理，接口采用金屬墊圈密封或氟橡膠圈密封；可烘烤溫度最高300C° 八靶鍍膜室尺寸不小于直徑φ650mmx400（H）；三靶鍍膜室尺寸不小于直徑φ450mmx450mm（H）。 |
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3 |
八靶鍍膜室樣品臺組件 |
（1）基片可連續(xù)回轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速5～10轉(zhuǎn)/分；可做高定位精度蠕動，移動精度0.1mm?；叽鐬?span lang="EN-US">48mmx48mm。樣品臺上放置的基片數(shù)量最大化； （2）基片可加0~-200伏負偏壓，基片加熱最高溫度600°C±1°C，由熱電偶閉環(huán)反饋控制，程序控溫； （3）基片可做低溫沉積； （4）設(shè)置手動控制薄膜厚度測量組件； （5）靶材和基片的距離手動可調(diào)。 （6)動密封選擇杭州大和或相當質(zhì)量產(chǎn)品。 |
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4 |
八靶鍍膜室濺射靶組件 |
磁控濺射靶采用水冷系統(tǒng)進行冷卻；設(shè)置靶擋板機構(gòu)，防止靶材交叉污染，電動控制，并有具體設(shè)計；可以兼容（甲方已有）射頻和直流電源，并進行一對多切換。 |
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5 |
三靶鍍膜室樣品臺組件 |
（1） 基片尺寸48mm×48mm； （2） 基片可自轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速5～10轉(zhuǎn)/分； （3） 基片可加熱最高溫度800°C±1°C，由熱電偶閉環(huán)反饋控制，程序控溫； （4） 設(shè)置手動控制薄膜厚度測量組件； （5） 可加0~-200伏的負偏壓。 |
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6 |
三靶鍍膜室濺射靶組件 |
磁控濺射靶采用水冷系統(tǒng)進行冷卻；具有三靶共濺射功能。可以兼容（甲方已有的）射頻和直流電源,并進行一對多切換；靶材和基片的距離手動可調(diào)。設(shè)置靶擋板機構(gòu)，防止靶材交叉污染。 |
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7 |
鍍膜室工作氣路 |
八靶鍍膜室三個工作氣路，三靶鍍膜室另有獨立的三路工作氣路。均通過質(zhì)量流量控制器，角閥、進氣截止閥、進口1/4英寸管路和接頭等進行控制。 質(zhì)量流量控制器選擇MKS或相當品牌。 |
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8 |
進樣室 |
樣品庫1個，樣品庫中可以放置樣品的數(shù)量8個； 設(shè)置有樣品傳遞機構(gòu)?？梢詫悠穫鬟f到八靶鍍膜室和三靶鍍膜室； 傳遞機構(gòu)在垂直和角度可調(diào)適當調(diào)整。使樣品準確的傳遞到鍍膜室的樣品臺上。 進樣室尺寸不小于直徑φ350mmX450mm（L） |
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9 |
水冷系統(tǒng) |
冷卻循環(huán)水機一臺，制冷量功率不小于5kw。 |
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10 |
電源和電控制系統(tǒng)組件 |
（1）計算機設(shè)備控制系統(tǒng)1套； （2）電源機柜一組，總控制電源為分子泵、機械泵、電磁閥、升降電機、真空計等提供電源，有斷電保護功能；水流報警系統(tǒng)，要求對分子泵、磁控靶有斷水報警切斷相應(yīng)電源功能。其他設(shè)備由相應(yīng)電源單獨供電； （3）進樣室、八靶鍍膜室和三靶鍍膜室具有獨立的高低真空測量和控制以及電控制或樣品預(yù)處理系統(tǒng)若干套。 |
七、投標資格：
本項目為國內(nèi)公開招標，要求投標人資格條件如下：
（1）政府采購法第二十二條規(guī)定的資格條件。
（2）投標人應(yīng)為在中華人民共和國境內(nèi)合法注冊的法人或其他組織，須具有必要的生產(chǎn)設(shè)備和生產(chǎn)場地，有自主完成本項目加工、安裝和測試的能力。
（3）近五年曾經(jīng)承擔過與本招標項目相類似的項目。
（4）在采購人處登記并購買標書
（5）本項目不接受聯(lián)合體投標。
八、招標文件發(fā)售時間：2016年10月26日～2016年11月3日（公休日除外）
每天9:00～11:00、14:00～16:30（北京時間）
九、招標文件發(fā)售地點：廣東省東莞市大朗鎮(zhèn)中子源路1號散裂中子源區(qū)A2-201室（裝置辦）
十、招標文件購買方式：
招標文件每套500元人民幣（招標文件僅提供電子版，購買時請攜帶U盤），招標文件售出不退。
購買方式可上門購買；也可電匯標書費以郵件方式聯(lián)系購買，采用郵件方式購買的，請將銀行出具的標書匯款回單、投標人名稱、住所、聯(lián)系人及電話、E-mail地址等信息用E-mail形式發(fā)送至jianglj@ihep.ac.cn。我們收到郵件后會立即將招標文件電子版用E-mail發(fā)給您。
投標時將收取1萬元的投標保證金。
注意：投標單位購買招標文件時請攜帶單位介紹信(蓋公章)備查。請在介紹信上注明單位全稱及其地址、郵編；聯(lián)系人及其聯(lián)系方法（包括手機、電話、傳真、E-mail地址等）或提供購買人個人名片以便聯(lián)系。
十一、投標截止時間：北京時間2016年 11月14日下午2:00
十二、投標文件遞交地點：東莞市大朗鎮(zhèn)中子源路1號散裂中子源區(qū)A2-201室（裝置辦）
十三、開標時間：北京時間2016年11月14日下午2:00
十四、本項目聯(lián)系方式：聯(lián) 系 人：江麗君
Email：jianglj@ihep.ac.cn
電 話：0769-89156300
全 稱：中國科學(xué)院高能物理研究所
開戶銀行：中國工商銀行北京永定路支行
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